Estudo da reatividade de defeitos topológicos no SiC 2D.
Nome: EDUARDO AHNERT RODRIGUES DE ALMEIDA
Data de publicação: 03/06/2025
Banca:
Nome |
Papel |
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| FERNANDO NESPOLI NASSAR PANSINI | Examinador Interno |
| HUMBERTO BELICH JUNIOR | Examinador Interno |
| WENDEL SILVA PAZ | Presidente |
| WESLEY SPALENZA | Examinador Externo |
Resumo: Neste estudo, empregamos cálculos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade, para investigar a interação de moléculas diatômicas (CO, NO e SO) com monocamadas bidimensionais de SiC contendo defeitos lineares
5–8–5 (585-ELD). Nossos resultados indicam que o SiC 2D pristino apresenta uma banda proibida de aproximadamente 2,5 eV, enquanto a presença do defeito 585-ELD introduz estados eletrônicos associados a orbitais pz próximos ao nível de Fermi. Na
caracterização da adsorção das moléculas no SiC 2D com o 585-ELD, observou-se pelo calculo de Densidade de Estados Eletrônicos (DOS) a formação de orbitais híbridos, evidenciando um processo de quimissorção. As energias de adsorção
calculadas foram -0.45 eV (CO), -1.38 eV (NO) e -2.88 eV (SO), com respectivas transferências de carga de 0,40|e|, 1,37|e| e 1,71|e| para as moléculas, caracterizando, dessa forma, uma quimissorção forte. Conclui-se que, embora essa alta afinidade
favoreça a sensibilidade do sensor, ela pode dificultar a dessorção das moléculas e, consequentemente, comprometer sua reutilização. Como perspectivas futuras, propomos investigar os efeitos de deformação mecânica (strain) no material, utilização
de outros estímulos externos e estender o estudo a outras espécies moleculares. Palavras-Chave: Isolante topológico, SiC, dopagem, DFT