Explorando as Propriedades Eletrônicas e Topológicas do Cristal Bi2Se3 Dopado com Alumínio
Nome: LUIZA TIEMI PACHECO OKUMA
Data de publicação: 02/02/2024
Banca:
Nome |
Papel |
|---|---|
| WENDEL SILVA PAZ | Orientador |
Resumo: Neste trabalho, motivados por evidências experimentais de ARPES realizadas por nossos colaboradores da UFES, foram realizados cálculos teóricos de estruturaeletrônica para estudar as propriedades eletrônicas e topológicas do seleneto de
bismuto Bi2Se3 dopado com alumínio. Antecedendo os resultados, é apresentada uma breve revisão da literatura sobre
as bases para a Teoria do Funcional da Densidade (DFT) e como essa abordagem é construída dentro da aproximação de Born-Oppenheimer. Além disso, é feita uma discussão a respeito de topologia de materiais e seus principais entes matemáticos, com
intuito de nos ajudar a compreender algumas propriedades de materiais topológicos. Os artifícios utilizados para confirmar o caráter topologicamente não trivial do Bi2Se3 passaram pelo cálculo do invariante topológico Z2, além da análise: 1)
dos estados de superfície; 2) da composição orbital da inversão de bandas em torno do ponto ; e 3) da estrutura de bandas para um sistema com poucas camadas. Seguindo essas etapas, foi possível inferir o papel da substituição de Bi por Al no
isolante topológico Bi2Se3.
